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YZPST-MS38N100
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
MOSFET de puissance
À canal N en mode enrichissement
Redresseur intrinsèque rapide
VDSS = 1000 V
ID25 = 38 A
RDS(on)≤ 210 mΩ
trr≤ 300 ns
Caractéristiques
Boîtier standard international
Faible résistance intrinsèque de grille
miniBLOC avec isolation en nitrure d’aluminium
Faible inductance de boîtier
Redresseur intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et faible QG
Avantages
Haute densité de puissance
Facile à monter
Gain de place
Applications
Convertisseurs DC-DC
Chargeurs de batterie
Alimentations à découpage et à résonance
Commande de moteurs CA
Application de commutation de puissance à grande vitesse
| Symbole | Conditions d'essai | Caractéristiques maximales | |
| VDSS | TJ = 25 °C à 150 °C | 1000 | V |
| VDGR | TJ = 25 °C à 150 °C, RGS = 1 MΩ | 1000 | V |
| VGSS | Collecteur continu | ±30 | V |
| VGSM | Transitoire | ±40 | V |
| ID25 | TC = 25 °C | 38 | A |
| IDM | TC = 25 °C, largeur d’impulsion limitée par TJM | 120 | A |
| I A | TC = 25 °C | 19 | A |
| EAS | TC = 25 °C | 2 | J |
| dv/dt | IS < IDM , VDD < VDSS , TJ < 150℃ | 20 | V/ns |
| PD | T = 25℃ | 1000 | W |
| TJ | -55 ... +150 | ℃ | |
| TJM | 150 | ℃ | |
| TSTG | -55 ... +150 | ℃ | |
| VISOL | 50/60 Hz, RMS, t = 1 minute | 2500 | V~ |
| I ISOL £ 1mA, t = 1s | 3000 | V~ | |
| MD | Couple de montage pour la plaque de base | 1.5/13 1.3/11.5 | Nm/lb.in Nm/Ib.in |
| Couple de serrage des bornes | |||
| Poids | 30 | g |
Plan de boîtier SOT-227B (IXFN)
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
