Caractéristiques :
- Structure à diffusion totale
- Capacité élevée aux surtensions
- Récupération inverse douce
- Boîtier céramique hermétique robuste
- Dispositif assemblé sous pression
VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-M2639ZC450
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Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
CENTRE DE DOCUMENTATION
Téléchargements et fichiers techniques
http://www.youtube.com/channel/UCZ3mV8GmGNcX4WcYEoWX-_g/featured
Pour les valeurs maximales garanties, contactez l’usine
Surfaces de montage lisses, planes et graissées
Applications typiques :
- Redresseur pour applications d'entraînement
- Convertisseurs moyenne tension
- Applications à alimentation pulsée
- Applications Crowbar
Caractéristiques et valeurs nominales électriques
VRRM (1) | VRSM (1) |
4200 | 4200 |
VRRM = tension inverse de crête répétitive
VRSM = tension inverse de crête non répétitive
VRSM = tension inverse de crête non répétitive
Courant de fuite inverse de crête répétitive | IRRM | 20 mA 150 mA |
Conduction - état passant
Paramètre | Symbole | Min | Max. | Type | Unités | Conditions |
Valeur moyenne max. du courant en conduction | IF(AV)M | 2639 | A | Sinusoïdal, conduction à 180°, Tc=55 °C | ||
Valeur efficace du courant en conduction | IFRMS | 4922 | A | Valeur nominale | ||
Surge de crête sur un cycle (courant non répétitif) | IFSM | 27.5 | kA | Tj=150 °C, VR=0,8VRRM, tp=10 ms | ||
I carré t | I2t | 3,79x103 | kA²s | 10 ms | ||
Tension de pointe en conduction | VFM | 2.25 | V | IFM =3000 A ; Tj = 150 °C | ||
Tension de seuil | VFO | 1.38 | Tj = 150 °C | |||
Résistance de pente en direct | rF | 0.29 | mΩ | Tj = 150 °C | ||
Courant de recouvrement inverse (4) | IRM(REC) | - | 280 | A | IFM = 1000 A ; dIF/dt = 60 A/ms, Tj = 150 °C | |
Charge de recouvrement inverse (4) | Qrr | - | 2300 | mC | ||
Temps de recouvrement inverse (4) | tRR | - | 8.5 | ms |
Caractéristiques thermiques et mécaniques
Paramètre | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions | |
Température de fonctionnement | Tj | -40 | +150 | °C | ||
Température de stockage | Tstg | -40 | +150 | °C | ||
Résistance thermique - jonction vers boîtier | RQ (j-c) | 0.011 | K/W | Refroidissement double face Refroidissement par une seule face | ||
Résistance thermique - boîtier vers dissipateur | RQ (c-s) | 0,.022 | K/W | Refroidissement double face Refroidissement par une seule face | ||
Force de montage | P | 37 | 47 | - | kN | |
Poids | W | 1700 | g | À propos |
Schéma du boîtier et dimensions
Sym | A | B | C | D | H |
mm | 109 | 73 | 98 | 3.5×3 | 36±1 |
YZPST peut fournir la liste d’équivalences suivante pour les diodes rapides/de conversion
DIODES RAPIDES / POUR ONDULEURS | ||||
TYPE | Équivalent | IAV | PIV | DIA/HT |
A696L | 9110/SM18CXC724/M1022LC180 | 1000A | 1800V | 34/27 |
3178 | SM18CXC924/M149NC180 | 1496A | 1800V | 47/27 |
M1494 | SW25CXC924 | 1494A | 2500V | 47/27 |
ZWDQ8 | L5646/ZWDQ 815645 diode à récupération rapide à plot | |||
YZPST peut fournir la liste équivalente suivante de diodes à récupération rapide(types capsule)
| Type | IF(AV ) | VRRM | IFSM @TVJ M &1 0ms | IRRM (max) Tj=125 °C | VFM(max) | Trr (max) | Tvj | Rthjc | F±10 % | |
| IFM (A) | V | µs | °C | K/W | KN | |||||
| A | V | KA | mA | |||||||
| A337 | 650 | 500-1500 | 10 | 40 | 2000 | 1.9 | 4.0 | 125 | 0.045 | 3.6 |
| A596 | 750 | 700-1600 | 13 | 50 | 3500 | 2.3 | 4.0 | 150 | 0.06 | 9.8 |
| A696 | 1000 | 2000-2600 | 14 | 100 | 100 | 1.9 | 5.0 | 150 | 0.04 | 15 |
| A796 | 925 | 1500-2500 | 13.8 | 75 | 1000 | 1.75 | 3.5 | 125 | 0.02 | 25 |
Pour plus d’informations surDiode à récupération rapideVeuillez télécharger ci-dessus le fichier PDF intitulé « YANGZHOU POSITIONING TECH CO Pièces de thyristors et de diodes de puissance »
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