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YZPST-TG40E60
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Caractéristiques maximales
Symbole | Élément | Valeurs | Unité |
TG40E60 | |||
VDRM | Répétitif Tension de blocage crête à l'état bloquétage | 600 | V |
Symbole | Élément | Conditions | Valeurs | Unité |
IT（RMS） | R.M.S. État-de marche Courant | Tc ＝64℃ | 40 | A |
ITSM | Surtension État-de marche Courant | Un cycle, 50/60Hz, crête valeur, non-répétitive | 380/420 | A |
I2t | I2t | Valeur pour une cycle de pic courant | 730 | A2s |
PGM | Crête Grille Puissance Dissipation |
| 10 | W |
PG（AV） | Grille moyenne Puissance Dissipation |
| 1 | W |
IGM | Crête Grille Courant |
| 3 | A |
VGM | Tension de grille de crête |
| 10 | V |
di/dt | Critique Taux de Montée du Courant à l’état passant | IG ＝100mA，VD = ½VDRM，diG/dt ＝1A/ μs | 50 | A/ μs |
Tj | Température de jonction de fonctionnement |
| -40～＋125 | ℃ |
Tstg | de stockage Température |
| -40～＋150 | ℃ |
VISO | Isolation Claquage Tension（R.M.S.） | C.A.1 minute | 2500 | V |
| Montage Couple（M4） | Valeur recommandée 1.0～1,4 N ・m（10～14 kgf・㎝） | 1.5（15） | N･m （kgf･㎝） |
| Masse | Typique valeur | 23 | g |
Électriques Caractéristiques
Symbole | Élément | Conditions | Valeurs | Unité | |||
Min. | Typ. | Max. | |||||
IDRM | Répétitif Crête à l’état bloqué Courant | Tj ＝125℃, VD ＝VDRM |
|
| 5 | mA | |
VTM | Tension de crête à l’état passant | IT ＝60 A |
|
| 1.4 | V | |
I GT1 | 1 |
Grille Déclenchement Courant |
VD ＝6 V, IT ＝1 A |
|
| 50 | mA |
I GT1 | 2 |
|
| 50 | mA | ||
I GT3 | 3 | ― | ― | ― | mA | ||
I GT3 | 4 |
|
| 50 | mA | ||
VGT1 | 1 |
Tension de déclenchement de la gâchette |
VD ＝6 V, IT ＝1 A |
|
| 1.5 | V |
VGT1 | 2 |
|
| 1.5 | V | ||
VGT3 | 3 | ― | ― | ― | V | ||
VGT3 | 4 |
|
| 1.5 | V | ||
VGD | Non-Déclenchement Grille Tension | Tj ＝125℃, VD = ½VDRM | 0.2 |
|
| V | |
dv/dt | Critique Taux de Montée du À l’état bloqué Tension | Tj ＝125℃, VD =⅔VDRM, Exponentielle onde. | 500 |
|
| V/ μs | |
〔dv/dt〕c | Critique Taux de Montée du À l’état bloqué Tension à la commutation | Tj ＝125℃, VD =⅔VDRM,〔di/dt〕c ＝10 A/ms | 6 |
|
| V/ μs | |
IH | Courant de maintien |
|
| 30 |
| mA | |
Rth（j-c） | Thermique Impédance | Jonction-boîtier |
|
| 1.3 | ℃/W | |
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
