YZPST-2N6075B

Description

symbole

valeur

unité

Répétitif  pic  hors état de conduction tension

(Tj =  -40   ~ 125℃ )

Demi sinusoïde onde  50 Hz,  gâchette  ouvert

-6075B

V DRM

VRRM

600

600

V

Nominal  RMS  à l’état passant  courant

Pleine  sinusoïde onde  5 0  Hz

IT(RMS)

4

A

Non répétitif  crête  pic  courant

(jonction température  Tj  = 2 5℃ )

Un  cycle  5 0  Hz

ITSM

30

A

fusible  courant

(t  =  8.3  ms)

2

I t

3.7

A2s

Grille  moyen  puissance

(TC  =  8 0℃ , t  =  8.3  ms)

PG(AV)

0.5

W

Grille  crête  courant

(t ≤ 2.0 μ  s)

IGM

1

A

Fonctionnement jonction température

TJ

-40~ 110

℃

de stockage température

Tstg

-40~150

℃

Description

Symbole

Max

Unité

Résistance thermique   (jonction vers boîtier)

Rj C

3.5

℃/W

Résistance thermique   (jonction vers ambiant)

Rj A

75

℃//W

Description

Symbole

Min

Type

Max

Unité

Répétitif  pic  hors état de conduction  courant

(VD  =  Nominale VDRM ,VR RM gâchette  ouvert  )

Tj  = 2 5 ℃

Tj  =  1 1 0 ℃

IDRM, IRRM

-

-

10

2

uA mA

Crête  à l’état passant Tension

(IT  = 6 A)

VT

-

2

V

Grille déclenchement courant

(VD= 1 2 V, RL  = 3 0 Ω )

MT 2 ( +) , G( +)

MT2 (+),  G(- )

MT2 (- ),  G(- )

MT2 (- ),  G( + )                                                  - - - B

IGT

-

-

-

-

-

-

-

3

3

3

5

mA

Grille déclenchement tension

(VD= 1 2 V, RL  = 3 0 Ω )

Toutes  se les montées

VGT

-

1.4

2.5

V

Grille  non-déclenchement tension

(VD= 1 2 V, RL  = 3 0 Ω , Tj  =  1 1 0 校 )

Toutes  se les montées

VGD

0.2

-

-

V

Maintien  courant

(Candution  courant   IT= 100 mA)

Tj  = 2 5 ℃

Tj  =  1 1 0  ℃

IH

-

-

-

-

15

30

mA

Critique Taux de montée de la tension à l’état bloqué

VDM=1/2VDRM, Tj110 °C RGK=1 kΩ

dv/dt

5

-

V/µs