YZPST-G15N65T
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Température maximale de jonction 150 °C
Tension de claquage élevée jusqu’à 650 V pour une fiabilité améliorée
Résistant aux courts-circuits
Très faible tension de saturation :
VCE(SAT) = 1,65 V (typ.) à IC = 15 A
Formes d’onde de coupure en douceur du courant
VCE | 650 | V |
IC | 15 | A |
VCE(SAT) IC=15A | 1.65 | V |
Applications à commutation douce
Climatisation
Onduleur de commande moteur
Produit | Boîtier | Conditionnement |
YZPST-15N65T1 | TO-220 | Tube |
YZPST-15N65T1 | TO-263 | Tube |
YZPST-15N65T1 | TO-220F | Tube |
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Tension de claquage collecteur-émetteur | VCE | 650 | V |
Courant continu de collecteur, limité par Tjmax TC = 25 °C TC = 100 °C | IC |
30
15
| A |
Courant direct de diode, limité par Tjmax TC = 25 °C TC = 100 °C | IF |
30
15
| A |
Tension continue grille-émetteur | VGE | ±20 | V |
Tension transitoire grille-émetteur | VGE | ±30 | V |
Aire de fonctionnement sûre à l’extinction VCE ≤650V, Tj ≤ 150 °C | - | 60 | A |
Courant pulsé de collecteur, VGE=15V, tp limité par Tjmax | ICM | 45 | A |
Temps de tenue au court-circuit, VGE=15V, VCE≤400V | Tsc | 5 | μs |
Dissipation de puissance TO-220F, Tj=25 ℃ | Ptot | 27 | W |
Dissipation de puissance TO-220, TO-263, Tj=25 ℃ | Ptot | 105 | W |
Température de jonction en fonctionnement | Tj | -40...+150 | °C |
Température de stockage | Ts | -55...+150 | °C |
Température de soudage, soudure à la vague à 1,6 mm (0,063 po) du boîtier pendant 10 s | - | 260 | °C |
Résistance thermique
Paramètre | Symbole | TO-220, TO-263 | TO-220F | Unité |
Résistance thermique de l’IGBT, jonction - boîtier | Rθ(j-c) | 1.2 | 4.9 | K/W |
Résistance thermique de la diode, jonction - boîtier | Rθ(j-c) | 2.38 | 5.8 | K/W |
Résistance thermique, jonction - air ambiant | Rθ(j-a) | 62.5 | K/W | |
Caractéristiques électriques de l’IGBT (Tj=25 ℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions d’essai | Min. | Typ. | Max. | Unités |
Caractéristiques statiques (testées sur tranches) | ||||||
BVCES | Tension de claquage collecteur-émetteur Tension | VGE = 0V, IC = 1mA | 650 | - | - | V |
VCE(SAT) | Saturation collecteur-émetteur Tension | IC = 15A, VGE = 15V | - | 1.65 | 1.95 | V |
VGE(th) | Tension de seuil G-E | VGE = VCE, IC = 250μA | 4.1 | 5.0 | 5.7 | V |
ICES | Courant de coupure du collecteur | VCE = 650 V, VGE = 0 V | - | - | 25 | μA |
IGES | Courant de fuite grille-émetteur | VGE = ±20 V, VCE = 0 V | - | - | ±200 | nA |
gfs | Transconductance | VCE=20 V, IC=15 A | - | 10 | - | S |
Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Type | Max. | Unité |
Dynamique | ||||||
Capacité d’entrée | Cies | VCE = 25 V, VGE = 0 V, | - | 990 | - | pF |
Capacité de sortie | Coes | - | 56 | - | ||
Capacité de transfert inverse | Cres | - | 30 | - | ||
Charge de grille | QG | VCC = 480 V, IC = 15 A, VGE = 15 V | - | 92 | - | nC |
Courant collecteur de court-circuit | IC（SC） | VGE=15 V, tSC≤5 us VCC=400 V, | - | 98 | - | A |
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
Dynamique | ||||||
Temps de retard à l’enclenchement | td(on) | Tj=25 °C VCC = 400 V, IC = 15 A, VGE = 0/15 V, Rg=12 Ω | - | 15 | - | ns |
Temps de montée | tr | - | 25 | - | ns | |
Temps de retard au blocage | td(off) | - | 60 | - | ns | |
Temps de chute | tf | - | 46 | - | ns | |
Énergie d’enclenchement | Eon | - | 0.75 | - | mJ | |
Énergie de blocage | Eoff | - | 0.1 | - | mJ | |
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Type | Max. | Unité |
Dynamique | ||||||
Tension directe de la diode | VFM | IF = 15 A | - | 1.7 | - | V |
Temps de recouvrement inverse | Trr | IF= 15 A VR = 300 V, | - | 50 | - | ns |
Courant de recouvrement inverse | Irr | - | 4 | - | A | |
Charge de recouvrement inverse | Qrr | - | 83 | - | nC | |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
