.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-BTA25-600BW TG25C60
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-TG25..SÉRIE
YZPST-BTA25-600BW TG25C60
TRIAC (TYPE ISOLÉ)
Les TG25C/E/D sont des triacs moulés isolés adaptés à un large éventail d’applications telles que les copieurs, les fours à micro-ondes, les commutateurs statiques,
la commande de moteurs, la commande d’éclairage et la commande de chauffage.
IT AV 25A
Capacité de surtension élevée 400A
Montage isolé AC2500V
Bornes à languette
Maximum Valeurs
Symbole | Élément | Conditions | Valeurs | Unité |
IT RMS | Courant efficace à l’état passant | Tc | 25 | A |
ITSM | Courant de surcharge à l’état passant | Un cycle, 50 Hz/60 Hz, crête, non répétitif | 300/330 | A |
I2t | I2t | Valeur pour un cycle du courant de surtension | 450 | A2S |
PGM | Dissipation de puissance de grille de crête |
| 10 | W |
PGAV | Dissipation de puissance de grille moyenne |
| 1 | W |
IGM | Courant de grille de crête |
| 3 | A |
VGM | Tension de grille de crête |
| 10 | V |
di/dt | Taux critique d’augmentation du courant à l’état passant | IG=100 mA, Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1 A/μS | 50 | A/μS |
Tj | Température de jonction de fonctionnement |
| -25～+125 | ℃ |
Tstg | Température de stockage |
| -40～+125 | ℃ |
VISO | Tension de claquage d’isolement RMS | C.A. 1 minute | 2500 | V |
| Couple de montage M4 | Valeur recommandée 1,0～1.4（10～14） | 14 | kgf.cm |
Maximum Valeurs
Tj=25 sauf indication contraire
| Symbole | Élément | Valeurs | Unité | |||
| TG25C60 | TG25C80 | TG25C100 | TG25C12 | V | ||
| VDRM | Répétitif Crête à l’état bloqué Tension | 400 | 800 | 1000 | 1200 | V |
Caractéristiques électriquescaractéristiques
Symbole | Élément | Conditions | Valeurs | Unité | |
IDRM | Courant de blocage de crête répétitif max. | VD=VDRM, monophasé, demi-onde, Tj=125℃ | 5 | mA | |
VTM | Tension de l’état passant de crête, max. | Courant à l’état passant Courant à l’état passant √2× IT (RMS), mesure instantanée | 1.4 | V | |
I GT1 + | 1 | Courant de déclenchement de grille, max. | Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V | 50 | mA |
I GT1 - | 2 | Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V | 50 | mA | |
I GT3 + | 3 |
| - | mA | |
I GT3 + | 4 | Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V | 50 | mA | |
V GT1+ | 1 | Tension de déclenchement de gâchette, max. | Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V | 3 | V |
V GT1- | 2 | Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V | 3 | V | |
V GT3+ | 3 |
| - | V | |
V GT3- | 4 | Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V | 3 |
| |
VGD | Tension de gâchette sans déclenchement, min. | Tj =25℃, VD= 1/2VRRM | 0.2 | V | |
tgt | Temps d’amorçage, max. | IT=(RMS),IG= 100mA,VD=1/2VDR M,Tj=25℃,dIG/dt=1A/μS | 10 | V | |
dv/dt | Taux critique d’augmentation de la tension en conduction Tension, min. | Tj=25℃,VD=2/3VDRM Onde exponentielle. | 20 | V/μS | |
(dv/dt) c | Taux critique d’augmentation de la tension à l’état bloqué Tension au moment de la commutation, min. | Tj=25℃,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/μS | 5 | V/μS | |
IH | Courant de maintien, typ. | Tj =25℃ | 30 | mA | |
Rth(j-c) | Impédance thermique, max. | Jonction vers boîtier | 1.5 | ℃/W | |
Dites-nous ce dont vous avez besoin.
Les champs marqués d’un astérisque sont obligatoires.
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
