YZPST-BTA12-800BW
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-BTA12-800BW
Structure à simple mesa BTA12-800BW triac 800V TO-220A
●Caractéristiques du produit
Structure à simple mesa (Single Mesa),
Procédé de passivation du verre sur table,
Stabilité de la tension
Grande résistance aux chocs de courant
Modèle applicable : BTA12
Principale application
Lave-linge, lisseur
Relais statique, commande de vitesse de moteur AC
●Boîtier
TO-220A
Caractéristique principale (Tj=25℃)
Symbole | Valeur | Unité |
IT (RMS) | 12 | A |
VDRM / VRRM | 600/800 | V |
VTM | 1.55 | V |
Valeurs absolues (valeurs limites)
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
ITSM | Pic de surtension non répétitif en régime établi Courant (tp=10 ms) | 115 | A |
I2t | (tp=10 ms) | 70 | A2S |
dI/dt | IG=2IGT，tr≤100 ns, Tj=125 ℃ | 50 | A/μs |
IGM | Courant de crête de gâchette (tp=20 µs) | 4 | A |
PG(AV) | Puissance moyenne de gâchette | 1 | W |
Tstg Tj | Température de stockage Température de jonction en fonctionnement | -40--+150 -40--+125 | ℃ |
Résistances thermiques
| Symbole | ||||
| Paramètre | Valeur | Unité | ||
| TO-220A | 2.3 | |||
| Rth (j-c) | Jonction-boîtier | TO-220B/TO-220C | 1.4 | ℃/W |
| TO-220F | 3.9 |
Caractéristiques électriques (Tj=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Conditions d'essai | Valeur | Unité | ||||||
| TW | SW | CW | BW | C | B | ||||
| IGT | VD=12 V, RL=30Ω | ⅠⅡⅢ | ≤5 | ≤10 | ≤25 | ≤50 | ≤25 | ≤50 | mA |
| Ⅳ | ---- | ---- | ---- | ---- | ≤50 | ≤100 | |||
| IDRM | VD=VDRM | Tj=25℃ | ≤5 | μA | |||||
| Tj=125℃ | ≤1 | mA | |||||||
| IRRM | VD=VRRM | Tj=25℃ | ≤5 | μA | |||||
| Tj=125℃ | ≤1 | mA | |||||||
| ⅠⅢ | ≤10 | ≤25 | ≤50 | ≤70 | ≤40 | ≤50 | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅳ | ---- | ---- | ---- | ---- | ≤40 | ≤50 | mA |
| Ⅱ | ≤15 | ≤30 | ≤60 | ≤80 | ≤80 | ≤100 | |||
| VGT | VD=12V ,RL=30Ω | ≤1.3 | V | ||||||
| VGD | VD=VDRM, Tj=125℃RL=3.3KΩ | ≥0.2 | V | ||||||
| VTM | ITM=17A,tp=380 μs | 1.55 | V | ||||||
| IH | VD=12V ，IT=200mA | ≤20 | ≤25 | ≤35 | ≤50 | ≤25 | ≤50 | mA | |
| dV/dt | VD=67%VDRM, | ≥40 | ≥ | ≥ | ≥ 1000 | ≥ | ≥400 | v/ μs | |
| GateOpen, Tj=125℃ | 100 | 400 | 200 | ||||||
Mesure de boîtier
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
