.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-BTA06-600SW
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-BTA06-600SW
Performances de commutation élevées, triac BTA06 600SW 6 A, boîtier TO-220
BTA06/BTB06 Série 6A Triacs
DESCRIPTION :
Grâce à leur excellente tenue aux à-coups de courant élevé, les triacs des séries BTA06/BTB06 offrent un fort taux de dv/dt et une grande immunité aux interférences électromagnétiques.
Avec d’excellentes performances de commutation, les produits à 3 quadrants sont particulièrement recommandés pour les charges inductives. Grâce à leur montage sur dissipateur externe via leurs trois bornes, les BTA06 offrent une tension d’isolement nominale de 2500 VRMS, conforme aux normes UL.
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES :
symbole | valeure | uUnité |
IT(RMS) | 6 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤ 1,5 | V |
MAXIMALES ABSOLUES VALEURS:
Paramètre | Symbole | Valeure | UUnité |
Plage de température de jonction de stockage | Tstg | -40~150 | C |
Plage de température de jonction en fonctionnement | Tj | -40~125 | C |
Tension répétitive de crête à l’état bloqué (Tj=25C) | VDRM | 600/800 | V |
Tension répétitive de crête en inverse (Tj=25C) | VRRM | 600/800 | V |
Courant efficace à l’état passant | IT(RMS) | 6 | A |
Courant de pointe de surcharge non répétitif en conduction (cycle complet, F=50 Hz) |
ITSM |
60 |
A |
FICHE TECHNIQUE PRODUIT
Valeur I2t pour le fusible (tp=10ms) | I2t | 18 | A²s |
Taux critique de montée du courant en conduction (IG=2× IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Courant de grille de crête | IGM | 2 | A |
Dissipation de puissance moyenne de grille | PG(AV) | 1 | W |
Puissance de grille de crête | PGM | 5 | W |
ÉLECTRIQUES CARACTÉRISTIQUES(Tj=25C sauf indication contraire)
3 Quadrants：
| Paramètre | Valeure | |||||||
| Essai Condition | Qadrant | TW | SW | CW | BW | UUnité | ||
| IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0 2 | V | |||
| IH | IT=100mA | MAX | 6 | 10 | 35 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 10 | 15 | 50 | 70 | mA | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 15 | 25 | 60 | 80 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125COuverture de grillen | ||||||||
| dV/dt | MIN | 50 | 100 | 500 | 1000 | V/µs | ||
4 Quadrants：
| Paramètre | Valeure | |||||
| Essai Condition | Qadrant | C | B | UUnité | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | ALL | MIN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
| IL | IG=1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | MAX | 50 | 70 | mA |
THERMIQUES RÉSISTANCES
| Symbole | Essai Condition | Valeure | UUnité | |
| Rth(j-c) | jonction à boîtier(CA) | TO-251-4R/ TO-252-4R | 2.8 | C/W |
| TO-220A(Ins) | 3.4 | |||
| TO-220B(Non-Ins) | 2.2 | |||
| TO-220F(Ins) | 3.2 | |||
.jpg)
.webp)
.webp)
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
