YZPST-75HF120TK-G1

YZPST-75HF120TK-G1

Module IGBT 75 A 1200 V

CARACTÉRISTIQUES
Forte tenue au court-circuit, courant de court-circuit auto-limitant

Forte tenue au court-circuit, courant de court-circuit auto-limitant

PUCE IGBT (technologie Trench + Field Stop)

Vce(sat) avec coefficient de température positif

Commutation rapide et courant de queue réduit, faibles pertes de commutation

Diodes de roue libre à récupération inverse rapide et douce

Détection de température intégrée

APPLICATIONS

Application de commutation à haute fréquence

Convertisseurs de soudage

Commande de mouvement/servo

Systèmes UPS

Systèmes UPS

VALEURS ABSOLUES MAXIMALES VALEURS TC=25°C sauf indication contraire indiquée

Symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Valeurs	Unité
IGBT
VCES	Tension collecteur-émetteur	TVj=25°C	1250	V
VGES	Tension grille-émetteur		±30	V
IC	Courant collecteur continu	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
ICM	Courant collecteur de crête répétitif	tp=1 ms	150	A
Ptot	Dissipation de puissance par IGBT		500	W
Diode
VRRM	Tension inverse répétitive	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Courant direct moyen	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
IFRM	Courant direct de crête répétitif	tp=1 ms	150	A
I2t		TVj=125°C, t=10 ms, VR=0V	2810	A2s

CARACTÉRISTIQUES DU MODULE

Symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Min.	Typ.	Max.	Unité
TVj max	Température maximale de jonction				150	°C
TVj op	Température de fonctionnement		-40		150	°C
Tstg	Température de stockage		-40		125	°C
Visol	Tension d’essai d’isolement	CA, t=1 min		3000		V
Couple	Vers dissipateur	M6 recommandé	3		5	N·m
Couple	Vers la borne	M5 recommandé	2.5		5	N·m
Poids				176		g

PLAN DU BOÎTIER

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