VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
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COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
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Module IGBT 1200 V 100 A N/P : YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
Caractéristiques :
1200V100A, VCE(sat) (typ.) = 3,0 V Conception à faible inductance
Pertes plus faibles et énergie plus élevée
Vitesse de commutation ultra-rapide
Excellente tenue aux courts-circuits
Applications générales :
Onduleur auxiliaire
Chauffage par induction et soudage
Systèmes UPS
Caractéristiques maximales absolues de l’IGBT
| VCES | Tension collecteur-émetteur | 1200 | V | |
| VGES | Tension continue grille-émetteur | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Courant collecteur continu | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Courant de collecteur de crête impulsionnel | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Dissipation de puissance maximale (IGBT) | TC = 25°C, | 430 | W |
| tsc | > 10 | µs | ||
| Temps de tenue au court-circuit | ||||
| Température de jonction maximale de l’IGBT | 150 | °C | ||
| TJ | ||||
| TJOP | ||||
| Plage maximale de température de jonction en fonctionnement | -40 à +150 | °C | ||
| Tstg | Plage de température de stockage | -40 à +125 | °C | |
| VRRM | Tension inverse de crête répétitive Données préliminaires | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Courant direct continu de la diode | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Courant direct maximal de la diode | 200 | A | |
Caractéristiques maximales absolues de la diode de roue libre
| VRRM | Tension inverse de crête répétitive Données préliminaires | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Courant direct continu de la diode | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Courant direct maximal de la diode | 200 | A | |
Caractéristiques de commutationde l’IGBT
| td(on) | TJ = 25°C | 30 | |||||
| Temps de retard à l’enclenchement | ns | ||||||
| TJ = 125°C | 35 | ||||||
| TJ = 25°C | 50 | ||||||
| tr | Temps de montée à l’enclenchement | TJ = 125°C | 55 | ns | |||
| TJ = 25°C | 380 | ||||||
| td(off) | Temps de retard à l’extinction | TJ = 125°C | 390 | ns | |||
| TJ = 25°C | 110 | ||||||
| tf | Temps de chute à l’extinction | TJ = 125°C | 160 | ns | |||
| VCC = 600V | TJ = 25°C | 4.6 | |||||
| Eon | Pertes de commutation à l’enclenchement | IC = 100A | TJ = 125°C | 5.7 | mJ | ||
| RG = 5,6Ω | TJ = 25°C | 3.1 | |||||
| Eoff | Pertes de commutation à l’extinction | VGE = ±15 V | TJ = 125°C | 5.1 | mJ | ||
| Qg | Charge totale de grille | Charge inductive | TJ = 25°C | 870 | nC | ||
| Rgint | Résistance de grille intégrée | f = 1 M; | TJ = 25°C | 1.9 | Ω | ||
| Vpp = 1 V | |||||||
| Cies | Capacité d'entrée | TJ = 25°C | 8 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Capacité de sortie | VGE = 0 V | TJ = 25°C | 1.35 | nF | ||
| Cres | Transfert inverse | f = 1 MHz | TJ = 25°C | 0.81 | |||
| Capacitance | |||||||
| RθJC | Résistance thermique jonction-boîtier (IGBT) | 0.29 | °C/W | ||||
Boîtier Dimension
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