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YZPST-150B120F23
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Module de puissance IGBT YZPST-150B120F23
VCE=1200V IC=150A
Applications
Onduleur pour entraînement de moteur
Amplificateur d’entraînement servo AC et DC
UPS (alimentation sans interruption)
Machine de soudage à commutation douce
Caractéristiques
Faible Vce(sat) grâce à la technologie Trench Field-stop
Vce(sat) à coefficient de température positif
Avec diode FWD antiparallèle à récupération rapide et douce
Forte tenue au court-circuit (10 µs)
Structure de module à faible inductance
Température maximale de jonction 175 ℃
Absolu Maximum Valeurs
Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unité |
Tension collecteur-émetteur | VCES | VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃ | 1200 | V |
Courant collecteur continu | IC | Tc=100℃ | 150 | A |
Courant collecteur de crête | ICRM | tp=1 ms | 300 | A |
Tension grille-émetteur | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Dissipation de puissance totale (onduleur IGBT) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 968 | W |
Caractéristiques de l’IGBT
| Paramètre | Valeur | Unité | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Tension de seuil grille-émetteur | VGE(th) | VGE=VCE, IC =4mA,Tvj=25℃ | 5.2 | 6 | 6.8 | V |
| VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Courant de coupure collecteur-émetteur | ICES | VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Collecteur-émetteur | Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.8 | 2.1 | V | ||
| Tension de saturation | VCE(sat) | Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 2 | V | ||
| Capacité d'entrée | Cies | 9.8 | nF | |||
| Capacité de sortie | Coes | VCE=25V,VGE =0V, | 0.82 | nF | ||
| Capacité de transfert inverse | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 0.48 | nF | ||
| Résistance interne de grille | Rgint | 2.5 | Ω | |||
| Temps de retard à l’enclenchement | td(on) | 185 | Ns | |||
| Temps de montée | tr | IC =150 A | 55 | Ns | ||
| Temps de retard à l’extinction | td(off) | VCE = 600 V | 360 | Ns | ||
| Temps de descente | tf | VGE = ±15 V | 115 | Ns | ||
| Énergie dissipée pendant le temps d’allumage | Eon | RG = 5,1 Ω | 15.4 | mJ | ||
| Dissipation d’énergie pendant le temps de désactivation | Eoff | Tvj=25℃ | 11.6 | mJ | ||
| Temps de retard à l’enclenchement | td(on) | 200 | Ns | |||
| Temps de montée | tr | IC =150 A | 60 | Ns | ||
| Temps de retard à l’extinction | td(off) | VCE = 600 V | 420 | Ns | ||
| Temps de descente | tf | VGE = ±15 V | 120 | Ns | ||
| Énergie dissipée pendant le temps d’allumage | Eon | RG = 5,1 Ω | 23.2 | mJ | ||
| Dissipation d’énergie pendant le temps de désactivation | Eoff | Tvj = 125 ℃ | 17 | mJ | ||
| Tp≤10 µs, VGE=15 V, | ||||||
| Données de court-circuit | Isc | Tvj=150 ℃, Vcc=600 V, | 500 | A | ||
| VCEM≤1200 V | ||||||
Caractéristiques de la diode
| Paramètre | Valeur | Unité | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Courant direct continu de la diode | IF | Tc=100℃ | 150 | A | ||
| Courant direct de crête de la diode | IFRM | 300 | A | |||
| IF=150 A, Tvj=25 ℃ | 1.8 | 2.3 | V | |||
| Tension directe | VF | IF=150 A, Tvj=125 ℃ | 1.85 | V | ||
| Paramètre | Valeur | Unité | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Charge récupérée | Qrr | 13.4 | µC | |||
| IF = 150 A | ||||||
| Courant de récupération inverse de crête | Irr | VR=600 V | 143 | A | ||
| Temps de recouvrement inverse | trr | -diF/dt =2200A/us | 160 | ns | ||
| Énergie de récupération inverse | Erec | Tvj=25℃ | 9.1 | mJ | ||
| Charge récupérée | Qrr | 26.1 | µC | |||
| IF = 150 A | ||||||
| Courant de récupération inverse de crête | Irr | VR=600 V | 178 | A | ||
| Temps de recouvrement inverse | trr | -diF/dt =2200A/us | 440 | ns | ||
| Énergie de récupération inverse | Erec | Tvj = 125 ℃ | 15.4 | mJ | ||
Caractéristiques du module TC=25°C sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unité | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| Tension d’isolement | Visol | t = 1 min, f = 50 Hz | 2500 | V | ||
| Température de jonction maximale | Tjmax | 150 | ℃ | |||
| Température de jonction de fonctionnement | Tvjop | -40 | 125 | ℃ | ||
| Température de stockage | Tstg | -40 | 125 | ℃ | ||
| par onduleur IGBT | 0.155 | K/W | ||||
| Jonction-boîtier | R θjc | par onduleur à diodes | 0.292 | K/W | ||
| Boîtier-dissipateur | R θcs | Graisse conductrice appliquée | 0.05 | K/W | ||
| Couple des électrodes du module | Mt | Recommandé (M5) | 2.5 | 5 | N·m | |
| Couple module-dissipateur | Ms | Recommandé (M6) | 3 | 5 | N·m | |
| Poids du module | G | 150 | g | |||
Dimensions de l’emballage
Pour plus d’informations sur YZPST-150B120F23veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé « YZPST-150B120F23 "
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