YZPST-ZP508LTS06 (8mm)
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Caractéristiques :
Structure entièrement diffusée
Valeur nominale de surtension élevée
Capacité de blocage jusqu’à 600 volts
Boîtier céramique hermétique robuste
Dispositif assemblé par pression
Type de dispositif | VRRM (1) | VRSM (1) |
ZP508LTS06 | 600 | 650 |
VRSM = tension inverse de crête non répétitive (2)
Fuite inverse de crête répétitive | IRRM | 75 mA (3) |
Toutes les caractéristiques sont spécifiées pour Tj=25 °C sauf indication contraire.
(1) Toutes les valeurs de tension sont spécifiées pour une forme d’onde sinusoïdale appliquée à 50 Hz/60 Hz sur la plage de température de -40 à +190 °C.
(2) Largeur d'impulsion max. 10 ms
(3) Valeur maximale pour Tj = 190 °C.
(4) Voir la définition du paramètre ci-dessous :
Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
Valeur moyenne du courant à l’état passant | IF(AV) | 6000 | A | Sinusoïde, conduction sur 180°, Tsink = 55 °C | ||
Courant de surtension de crête sur un cycle (non répétitif) | IFSM |
55000
| A | 10,0 ms, VR < 60 % VRRM Tvjmax | ||
Tension de crête à l'état passant | VFM | 1.10 | V | IFM = 4500 A ; Tj = 190 °C | ||
Tension de seuil en conduction directe | Vo | 0.826 | V | Tj = 190 °C | ||
Résistance différentielle en conduction directe | r | 0.052 | mΩ | Tj = 190 °C |
* Pour les valeurs maximales garanties, veuillez contacter l’usine
Paramètre | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions | ||
Température de fonctionnement | Tj | -40 | +190 | oC | |||
Température de stockage | Tstg | -40 | +190 | oC | |||
Résistance thermique - jonction vers dissipateur | RQ (j-hs) | 0.015 | oC/W | Refroidissement double face | |||
Force de montage | P | 19 | 26 | kN | |||
Poids | W | 140 | g | ||||
* Surfaces de montage lisses, planes et graissées
YZPST peut fournir la liste équivalente suivante de diodes de soudage(types capsule)
| Type | IF(AV) @TC= 85°C | VRRM | IRRM (max )7 &Tj= | V(TO) Tjmax | RT Tjmax | Tjmax | Rthjc | F±10% |
| Tjmax | ||||||||
| A | V | mA | V | mQ | °C | K/W | KN | |
| 6000N40 | 7100 | 200-600 | 50 | 0.7 | 0.029 | 170 | 0.01 | 28 |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
