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YZPST-IMW120R045M1(YZPST-RM040120T)
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-IMW120R045M1(YZPST-RM040120T)\
MOSFET SiC
Caractéristiques
Commutation à grande vitesse avec faibles capacités
Tension de blocage élevée avec faible RDS(on)
Facile à mettre en parallèle
Facile à piloter
Conforme RoHS
Avantages
Densité de puissance accrue
Fréquence de fonctionnement plus élevée
Réduction des besoins en dissipateur thermique
Rendement supérieur
EMI réduites
Applications
Modules de correction du facteur de puissance
Alimentations à découpage
Onduleurs DC-AC
Convertisseurs DC/DC haute tension

Maximum caractéristiques nominales (Tj=25℃ sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Conditions d’essai | Valeur | Unité |
VFiche technique | Tension drain-source |
| 1200 | V |
ID | Collecteur continu Courant de drain | Tc=25°C Tc=100°C | 74 52 | A |
IDM | Crête Courant de drain | Largeur d’impulsion tp limitée par Tjmax | 150 | A |
VGSmax | Tension grille-source |
| -8/+22 | V |
VGSop | Tension grille-source recommandée |
| -4/+ 18 | V |
Ptot | Puissance Dissipation | Tc=25°C Tc=100°C | 312 156 | W |
Tj | Température de jonction de fonctionnementrature |
| -40~175 | °C |
Tstg | Température de stockage |
| -40~175 | °C |
Caractéristiques électriques
Caractéristiques statiques
Symbole | Paramètre | Conditions d’essai | Valeur | Unité | ||
Min. | Typ. | Max. | ||||
V(BR)DSS | Drain-source Tension de claquage | ID=100μA, VGS=0V | 1200 |
|
| V |
IDSS | Tension grille-source nulle Couran de drainant | VFiche technique=1200V, VGS=0V |
| 1 |
| μA |
IGSS | Grille-source Courant de fuite | VFiche technique=0 V, VGS=18 V |
|
| 250 | nA |
VGS(th) |
Tension de seuil de grille | VFiche technique=VGS, ID=10 mA Tj=25°C Tj=175 °C |
2 |
2.6 2.0 |
4 |
V |
RDS(on) |
État passant drain-source Résistance | VGS=18 V, ID=40 A Tj=25°C Tj=175 °C |
|
37 47 |
|
mΩ |
Plans du boîtier

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