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YZPST-M1A080120L1
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
MOSFET de puissance SiC à canal N
Réf. : YZPST-M1A080120L1
Caractéristiques
Haute tension de blocage avec faible résistance à l’état passant
Commutation à grande vitesse avec faible capacité
Facile à mettre en parallèle et simple à piloter
Avantages
Rendement système supérieur
Besoins de refroidissement réduits
Densité de puissance accrue
Fréquence de commutation du système accrue
Applications
Alimentations
Convertisseurs DC/DC haute tension
Variateurs de moteur
Alimentations à découpage
Applications en alimentation pulsée
Partie Nombre | Boîtier |
M1A080120 L1 | TO-247-4 |
Maximum Valeurs (TC=25℃ usauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions d'essai | Remarque |
| VDSmax | Tension drain-source | 1200 | V | VGS=0 V, ID=100μA | |
| VGSmax | Tension grille-source | -0.4 | V | Absolu valeurs maximales | |
| VGSop | Tension grille-source | -0.25 | V | Fonctionnement recommandévaleurs | |
| ID | Collecteur continu Courant de drain | 36 | A | VGS=20 V,Tc=25℃ | |
| 24 | VGS=20 V,Tc=100℃ | ||||
| ID(impulsion) | Pulsé Courant de drain | 80 | A | Largeur d’impulsion tp limited par TJmax | |
| PD | Puissance Dissipation | 192 | W | Tc=25℃, TJ=150℃ | |
| TJ, TSTG | Température de jonction et de stockage en fonctionnement | -55 à +150 | ℃ |
Caractéristiques électriques (TC=25℃ saufsauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | Conditions d'essai | Remarque |
| V(BR)DSS | Drain-source Claquagewn Voltage | 1200 | / | / | V | VGS=0 V, ID=100μA | |
| VGS(th) | Tension de seuil de grillege | 2 | 2.4 | 4 | V | VFiche technique=VGS, ID5mA | Fig. 11 |
| / | 1.8 | / | VFiche technique=VGS, ID5mA, TJ=150℃ | ||||
| IDSS | Tension grille-source nulle Courant de drain | / | 1 | 100 | µA | VFiche technique1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Grille-source Courant de fuite | / | 10 | 250 | nA | VFiche technique0V, VGS25V | |
| IGSS- | Grille-source Courant de fuite | / | 10 | 250 | nA | VFiche technique0V, VGS-10V | |
| RFiche technique(on) | État passant drain-source Résistance | / | 80 | 98 | mΩ | VGS20V, ID=20A | Fig. |
| / | 140 | / | VGS20V, ID20A, TJ=150℃ | 4,5,6 | |||
| Ciss | Capacité d'entrée | / | 1475 | / | VGS=0V | Fig. | |
| Coss | Capacité de sortie | / | 94 | / | pF | VFiche technique1000V | 15,16 |
| Crss | Capacité de transfert inverseacità | / | 11 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Coss Stockée Énergie | / | 52 | / | µJ | VCA=25mV | |
| EMARCHE | Commutation à l’allumage Énergie | / | 564 | / | µJ | VFiche technique=800V, VGS-5V/20V | |
| EHors tension | Commutation à l’extinction Énergie | / | 260 | / | ID20A, RG(ext)=2.5Ω, L=200μH | ||
| td(on) | Mise en marche Temps de retard | / | 9.3 | / | |||
| tr | Temps de montée | / | 9.5 | / | VFiche technique=800V, VGS-5V/20V, ID=20A RG(ext)=2.5Ω, RL=40Ω | ||
| td(off) | Extinction Temps de retard | / | 18 | / | ns | ||
| tf | Temps de descente | / | 7.6 | / | |||
| RG(int) | Gâchette interne Résistance | / | 3.1 | / | Ω | f=1MHz, VCA=25mV | |
| QGS | Grille vers source Charge | / | 24 | / | VFiche technique=800V | ||
| QGD | Grille vers Charge de drain | / | 15 | / | nC | VGS-5V/20V | |
| QG | Charge de grille totale Charge | / | 79 | / | ID=20A |
Temps de Caractéristiques de la dioderistics
| Symbole | Paramètre | Typ. | Max. | Unité | Conditions d'essai | Remarque |
| VSD | Diode Tension directe | 3.6 | / | V | VGS-5V, ISD10A | Fig. 8,9,10 |
| 3.3 | / | VGS-5V, ISD10A, TJ=150℃ | ||||
| IS | Collecteur continu Diode Courant direct | / | 44 | A | TC=25℃ | |
| trr | Temps de Temps de recouvrement | 35 | / | ns | ||
| Qrr | Temps de Charge de recouvrement | 91 | / | nC | VR800V, ISD=20A | |
| Irrm | Crête Temps de courant de récupération | 4.5 | / | A |
Boîtier Dimensions
Boîtier TO-247-4
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
