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YZPST-S65R650
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
P/N : YZPST-S65R650
MOSFET S65R650
DESCRIPTION :
Le S65R650 est un MOSFET Superjunction conçu pour offrir de meilleures caractéristiques, telles qu’une faible résistance à l’état passant,
une faible charge de grille, une commutation ultra-rapide et une grande robustesse. Ces dispositifs conviennent parfaitement aux alimentations à découpage à haut rendement.
VALEURS ABSOLUES MAXIMALES
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |
VFiche technique | Tension drain-source | 650 | V | |
VGS | Tension grille-source | ±30 | V | |
ID |
Courant de drain continu | Tc=25℃ | 8 | A |
Tc=100℃ | 6 | A | ||
IDM | Courant de drain pulsé | 30 | A | |
Ptot | Dissipation de puissance (TC=25°C) | 93 | W | |
Tj | Température de jonction | 150 | ℃ | |
Tstg | Température de fonctionnement et de stockageerature | -55 à +150 | ℃ | |
EAS | Avalanche Énergie | 74 | mJ | |
ÉLECTRIQUES CARACTÉRISTIQUES (TC= 25°C, sauf indication indiquée)
Symbole | Paramètre | Condition d’essai | Valeur | Unité | ||
Min | Type | Max | ||||
BVDSS | Tension de claquage drain-sourcetage | VGS= 0V, ID= 250μA | 650 |
|
| V |
IDSS | Courant de fuite drain-sourcerent | VDS=650V ,VGS=0V |
|
| 1 | uA |
IGSS | Fuite grille-source Courant | VGS= ±30V |
|
| ±100 | nA |
VGS(th) | Tension de seuil de grille | VDS= VGS, ID= 250μA | 2.5 |
| 4.5 | V |
RFiche technique(MARCHE) | À l’état passant statique drain-source Résistance | VGS= 10 V ，ID= 4A |
| 503 | 650 | mΩ |
DONNÉES MÉCANIQUES DU BOÎTIER
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
