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YZPST-MUR860G
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
REDRESSEUR À RÉCUPÉRATION ULTRARAPIDE
MUR805G à MUR860G
TENSION - 50 À 600 VOLTS COURANT 8 AMPÈRES
CARACTÉRISTIQUES
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevée
Grande fiabilité
Capacité élevée à supporter les courants de surtension
Convient aux applications à découpage
Soudage à haute température : 260 °C/10 secondes aux bornes
Des produits sans plomb sont disponibles : la teneur en étain supérieure à 99 % peut répondre aux exigences de la directive RoHS sur les substances dangereuses
DONNÉES MÉCANIQUES
Boîtier TO220AC en plastique moulé
Époxy : ignifuge classé UL 94V-0. Connexions : soudables conformément à
MIL-STD-202, méthode 208 garantie
Polarité : selon le marquage
Position de montage : indifférente. Poids : 2,24 g
CARACTÉRISTIQUES ET VALEURS NOMINALES MAXIMALES
Caractéristiques nominales à une température ambiante de 25 °C, sauf indication contraire
Monophasé, demi-onde, 60 Hz, charge résistive ou inductive
Pour une charge capacitive, réduire le courant de 20 %
PARAMÈTRE | MUR 805G | MUR 810G | MUR 815G | MUR 820G | MUR 830G | MUR 840G | MUR 860G | UNITÉS | |
Maximum Répétitif Crête Tension inverse | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 | Volts | |
Maximum Tension efficace | 35 | 70 | 105 | 140 | 210 | 320 | 420 | Volts | |
Maximum CC Tension de blocage | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 | Volts | |
Courant moyen maximal Direct Redressé Courant .375 (9,5 mm) Longueur des fils à TC =1000C | 8 | A | |||||||
Crête Direct Surtension Courant 8,3 ms Simple Demi sinusoïdale superposée on Nominale Charge (méthode JEDEC) | 125 | A | |||||||
Maximum Instantané Tension directe à 8,0 A | 0.95 | 1.25 | 1.65 | Volts | |||||
Maximum CC Temps de Courant TA =250C à Nominale CC Tension de blocage TA =1000C | 10 250 |
| uA | ||||||
Capacité de jonction typique Capacitance (Aucunete 1) | 62 | pF | |||||||
Maximum Temps de Temps de recouvremente (Remarque 2) | 35 | 35 | nS | ||||||
Thermique typique Résistance Remarque R JC | 3.0 | 0°C/W | |||||||
En fonctionnement et Température de stockageature Plage TJ | -55 à +150 | ℃ | |||||||
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
