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YZPST-BT145-800R
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
N° de pièce : YZPST-BT145-800R
DESCRIPTION :
Redresseur commandé au silicium (SCR) à passivation plane dans un boîtier plastique TO220, destiné aux applications exigeant une forte capacité de blocage bidirectionnel, une forte capacité d'appel de courant et d'excellentes performances en cyclage thermique.
Caractéristiques et avantages
Commande de puissance AC
Forte capacité de blocage bidirectionnel
Excellente tenue aux cycles thermiques
Passivation plane pour une excellente tenue en tension et une grande fiabilité
Capacité à fonctionner à haute température de jonction (Tj(max) = 150 °C)
Le boîtier répond à l’exigence d’inflammabilité UL94V0
Le boîtier est conforme RoHS
Transitoire rapide IEC 61000-4-4
Applications
Allumage par décharge capacitive (CDI)
Protection Crowbar
Protection contre l’appel de courant
Commande de moteur
Régulation de tension
Capacité à fonctionner à haute température de jonction (Tj(max) = 150 °C)
Réponse rapide données de référence
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min | Typ | Max | Unité | |
| Valeurs maximales absolues calibre | |||||||
| VRRM | répétitive crête inverse tension | - | - | 800 | V | ||
| IT(EFF) | Courant efficace à l’état passant | demi-onde sinusoïdale ; Tmb ≤ 128 °C ; | - | - | 25 | A | |
| Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3 | |||||||
| ITSM | pic non répétitif en état passant | demi-onde sinusoïdale ; Tj(init) = 25 °C ; tp = 10 ms ; Fig. 4; Fig. 5 | - | - | 300 | A | |
| demi-onde sinusoïdale ; Tj(init) = 25 °C ; tp = 8.3 ms | - | - | 330 | A | |||
| Tj | température de jonction | - | - | 150 | °C | ||
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min | Typ | Max | Unité | |
| Caractéristiques statiques | |||||||
| IGT | courant de déclenchement de gâchette | VD = 12 V; IT = 0,1 A ; Tj = 25 °C; Fig. 7 | 1.5 | - | 15 | mA | |
| IH | courant de maintien | VD = 12 V ; Tj = 25 °C; Fig. 9 | - | - | 60 | mA | |
| VT | tension à l’état passant | IT = 30 A ; Tj = 25 °C; Fig. 10 | - | 1.1 | 1.5 | V | |
| Caractéristiques dynamiques | |||||||
| dVD/dt | taux de montée de l’état bloqué tension | VDM = 536 V; Tj = 150 °C ; (VDM = 67 % de VDRM); forme d’onde exponentielle ;ouverture de la grille circuit | 80 | - | - | V/μs | |
Valeurs limites
Conformément au système de valeurs maximales absolues (IEC 60134).
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min | Max | Unité | |
| VDRM | répétitive pic à l’état bloquéte tension | - | 800 | V | ||
| VRRM | répétitive crête inverse tension | - | 800 | V | ||
| IT(AV) | courant moyen à l’état passant | demi-onde sinusoïdale ; Tmb ≤ 128 °C ; | - | 16 | A | |
| IT(EFF) | Courant efficace à l’état passant | demi-onde sinusoïdale ; Tmb ≤ 128 °C ; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3 | - | 25 | A |
| ITSM | non répétitif pic à l’état passant état passant | demi-onde sinusoïdale ; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms ; Fig. 4; Fig. 5 | - | 300 | A | |
| demi-onde sinusoïdale ; Tj(init) = 25 °C ; tp = 8.3 ms | - | 330 | A | |||
| I2t | I2t pour fusion | tp = 10 ms ; SIN | - | 450 | A2s | |
| d IT/dt | taux de montée de l’état passant courant | IG = 20 mA | - | 200 | A/μs | |
| IGM | crête de gâchette courant | - | 5 | A | ||
| VRGM | crête grille inverse | - | 5 | V | ||
| tension | ||||||
| PGM | crête de gâchette puissance | - | 20 | W | ||
| PG(AV) | moyenne de gâchette puissance | sur toute période de 20 ms période | - | 0.5 | W | |
| Tstg | température de stockage | -40 | 150 | °C | ||
| Tj | température de jonction | - | 150 | °C |
Caractéristiques thermiques
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min | Typ | Max | Unité | |
| Rth(j-mb) | résistance thermique | Fig. 6 | - | - | 1 | K/W | |
| du jonction à | |||||||
| montage base | |||||||
| Rth(j-a) | résistance thermique | dans l’air libre air | - | 60 | - | K/W | |
| du jonction à | |||||||
| air ambiant libre |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
