YZPST-G900WB120B6TC
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Module IGBT 1200 V 900 A
P/N : YZPST-G900WB120B6TC
PRODUIT CARACTÉRISTIQUES
Puce IGBT (tranchée + FS)
Faible tension de saturation et coefficient de température positif
Commutation rapide et faible courant de queue
Diodes de roue libre avec recouvrement inverse rapide et souple
Détection de température intégrée
APPLICATIONS
Commande de moteur CA
Commande de mouvement/servo
Onduleurs et alimentations
Photovoltaïque/pile à combustible
CARACTÉRISTIQUES ABSOLUES MAXIMALES DE L’IGBT(TC =25°C sauf indication indiquée)
| Symbole | Paramètre/conditions d’essai | Valeurs | Unité | |
| VCES | Tension collecteur-émetteur | TJ=25℃ | 1200 | V |
| VGES | Tension grille-émetteur | ±20 | ||
| IC | Courant continu collecteur | TC=25 ℃, TJmax =175 ℃ | 880 | |
| TC=95 ℃, TJmax =175 ℃ | 900 | A | ||
| ICM | Courant de collecteur de crête répétitif | tp=1 ms | 1200 | |
| Ptot | Dissipation de puissance par IGBT | TC=25 ℃, TJmax =175 ℃ | 3125 | W |
DIODES – CARACTÉRISTIQUES ABSOLUES MAXIMALES (TC =25°C sauf indication indiquée)
| Symbole | Paramètre/conditions d’essai | Valeurs | Unité | |
| VRRM | Tension inverse répétitive | TJ=25℃ | 1200 | V |
| IF(AV) | Courant direct moyen | 900 | A | |
| IFRM | Courant de crête direct répétitif | tp=1 ms | 1200 | |
| I2t | TJ =150℃, t=10ms, VR=0V | 45 | kA2s | |
onduleur IGBT
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES(TC =25°C sauf indication indiquée)
| Symbole | Paramètre/conditions d’essai | Min. | Typ. | Max. | Unité | ||
| VGE(th) | Tension de seuil grille-émetteur | VCE=VGE, IC=24mA | 5 | 5.8 | 6.5 | ||
| Collecteur-émetteur | IC=900A, VGE=15V, TJ=25℃ | 1.9 | 2.3 | ||||
| VCE(sat) | Tension de saturation | IC=900A, VGE=15V, TJ=125℃ | 2.2 | V | |||
| IC=900A, VGE=15V, TJ=150℃ | 2.25 | ||||||
| ICES | Courant de fuite collecteur | VCE=1200V, VGE=0V, TJ=25℃ | 1 | mA | |||
| VCE=1200V, VGE=0V, TJ=150℃ | 10 | ||||||
| IGES | Courant de fuite de grille | VCE=0V, VGE=±20V, TJ=25℃ | -400 | 400 | nA | ||
| RGint | Résistance de grille intégrée | 0.7 | Ω | ||||
| Qg | Charge de grille | VCE=900V, IC=900A, VGE=15V | 3.1 | µC | |||
| Cies | Capacité d'entrée | VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz | 43.2 | nF | |||
| Cres | Capacité de transfert inverse | 2.07 | nF | ||||
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | VCC=600V, IC=900A RG =1,5Ω, | TJ=25℃ | 100 | ns | ||
| VGE=±15V, | TJ=150℃ | 110 | ns | ||||
| tr | Temps de montée | Charge inductive | TJ=25℃ | 85 | ns | ||
| TJ=150℃ | 95 | ns | |||||
| td(off) | Temps de retard au blocage | VCC=600V, IC=900A RG =1,5Ω, | TJ=25℃ | 530 | ns | ||
| VGE=±15V, | TJ=150℃ | 580 | ns | ||||
| tf | Temps de descente | Charge inductive | TJ=25℃ | 65 | ns | ||
| TJ=150℃ | 215 | ns | |||||
| TJ=25℃ | 55 | mJ | |||||
| Eon | Énergie à l’enclenchement | TJ=125℃ | 85 | mJ | |||
| VCC=600V, IC=900A RG =1,5Ω, | TJ=150℃ | 95 | mJ | ||||
| VGE=±15V, | TJ=25℃ | 45 | mJ | ||||
| Eoff | Énergie au blocage | Charge inductive | TJ=125℃ | 58 | mJ | ||
| TJ=150℃ | 63 | mJ | |||||
| ISC | Courant de court-circuit | tpsc≤10µs, VGE=15V | 2200 | A | |||
| TJ=150℃, VCC=800V | |||||||
| RthJC | Résistance thermique jonction-boîtier (par IGBT) | 0.048 | K/W | ||||
Plan du boîtier
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
