

YZPST-KP Série-KP55
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Thyristor de phase à puce 1600 V - 55 mm
Symbole | Caractéristiques | Conditions | Température | Valeur | |
1 | VDRM | Tension crête répétitive à l’état bloqué | -30°C ≤ Tj ≤ 125°C | 1600 | |
2 | VDSM | Tension crête non répétitive à l’état bloqué | -30°C ≤ Tj ≤ 125°C | 1700 | |
3 | VRRM | Tension inverse de crête répétitive | -30°C ≤ Tj ≤ 125°C | 1600 | |
4 | VRSM | Tension inverse de crête non répétitive | -30°C ≤ Tj ≤ 125°C | 1700 | |
5 | IDRM | Courant de blocage de crête répétitif | V=VDRM | Tj = 125°C | ≤ 70 mA |
6 | IRRM | Courant inverse de crête répétitif | V=VRRM | Tj = 125°C | ≤ 70 mA |
7 | ITSM | Courant de surtension de crête (non répétitif) | Sinusoïdal, 10 ms sans tension inverse | Tj = 125°C | 36,0 kA |
8 | VTO | Tension de seuil | Tj = 125°C | 0,82 V | |
9 | Rt | Résistance de pente à l’état passant | Tj = 125°C | 0,180 mΩ | |
10 | VT | Tension à l'état passant | IT = 2500 A | Tj = 125°C | ≤ 1,45 V |
11 | VT | Tension à l'état passant | IT = 3500 A | Tj = 125°C | ≤ 1,65 V |
12 | DI/DT | Vitesse critique de montée du courant à l’état passant, min. | À partir de 75 % de VDRM jusqu’à 1650 A, gâchette 10 V 5 ohm | Tj = 125°C | 200 A / μ s |
13 | DV/DT | Vitesse critique de montée de la tension à l’état bloqué, min. | Montée linéaire VD = 70 % VDRM | Tj = 125°C | 500 V / μ s |
14 | IH | Courant de maintien, type | VD=5V, gâchette en circuit ouvert | Tj = 25 °C | ≤ 300 mA |
15 | IL | Courant de maintien, valeur typique | VD=5V, Tp=30 μs | Tj = 25 °C | ≤ 700 mA |
16 | VGT | Tension de déclenchement de grille | VD= 5 V ; | Tj = 25 °C | ≤ 3,0 V |
17 | IGT | Courant de déclenchement de grille | VD= 5 V ; | Tj = 25 °C | ≤ 200 mA |
18 | VGD | Tension de gâchette non déclenchante, min. | VD= VDRM | Tj = 125°C | ≥ 0,25 V |
19 | PGM | Dissipation de puissance de crête de gâchette | Tj = 25 °C | 150 W | |
20 | VFGM | Tension de gâchette de crête (directe) | Tj = 25 °C | 30 V | |
21 | IFGM | Courant de crête de gâchette | Tj = 25 °C | 10 A | |
22 | VRGM | Tension de gâchette de crête (inverse) | Tj = 25 °C | 5 V |
Ф A | Diamètre de la puce | 55 mm |
Ф B | Diamètre du contact externe de l’émetteur = rondelle en molybdène diamètre extérieur | 45~46 mm |
Ф C | Zone de contact interne de l’émetteur = rondelle interne en molybdène | 8,5~8,6 mm |
D | Épaisseur de la puce | 2,4~2,7 mm |
E | Épaisseur maximale du revêtement en caoutchouc de la jonction | 0,2~0,4 mm |
Ce plan est destiné à l’élément de fusion SCR de 55 mm.
La jonction comporte deux couches de revêtement, l’extérieur est rouge.
Métal de surface de la cathode : aluminium 10~15 μm.
Métal de surface de l’anode : molybdène
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