







YZPST-BYV28-200
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Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
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N° de pièce : YZPST-BYV28-200
JONCTION EN VERRE SINTÉRISÉ
REDRESSEUR À AVALANCHE ULTRARAPIDE
TENSION : 200 V COURANT : 3,5 A
CARACTÉRISTIQUES
Passivation verre
Température maximale de fonctionnement élevée Courant de fuite faible
Excellente stabilité
Capacité d’absorption d’énergie d’avalanche garantie
DONNÉES MÉCANIQUES
Boîtier : boîtier en verre fritté SOD-64
Bornes : fils axiaux plaqués soudables selon MIL-STD 202E, méthode 208C
Polarité : la bande de couleur indique la cathode ; position de montage : indifférente

CARACTÉRISTIQUES NOMINALES MAXIMALES ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES CARACTÉRISTIQUES (monophasé, demi-onde, 60 Hz, résistive ou inductive charge valeur nominale à 25。C, sauf indication contraireautrement indiquée) | ||||
| SYMBOLE | BYV28-200 | unités | |
Maximum Récurrent Crête Tension inverse | VRRM | 200 | V | |
Maximum Tension efficace | VRMS | 140 | V | |
Maximum CC Tension de blocage | VCC | 200 | V | |
Tension de claquage inverse en avalanche à IR = 0.1 mA | V(BR)R | 220 min | V | |
Courant direct moyen maximaldirect Courant redressé 3/8” patte longueur à Ttp =85。C | IFAV | 3.5 | A | |
Non répétitif Crête Direct Courant à t=10 ms demi-onde onde sinusoïdale | IFSM | 90 | A | |
Maximum Tension directe à Courant direct 3,5 A | VF | 1.02 | V | |
Énergie de surtension inverse de crête non répétitiveinverse en avalanche énergie (Remarque 1) | ERSM | 20 | mJ | |
Maximum CC Courant inverse à la tension nominale CC de blocage vTension | Ta =25。C Ta =165。C | IR | 5.0 150.0 | μA |
Maximum Temps de Temps de recouvrement (Note 2) | Trr | 25 | nS | |
Capacité de la diode (Note 3) | Cd | 190 | pF | |
Thermique typique Résistance(Note 4) | Rth(ja) | 75 | K/W | |
Température de jonction de stockage et de fonctionnementrature | Tstg, Tj | -65 à +175 | 。C | |
Remarque : 1. R=400 mA ; Tj=Tjmax avant la surtension ; inductive interrupteur de chargecoupé 2. Temps de Conditions de recouvrementtion Si =0,5 A, Ir = 1,0 A, Irr = 0,25 A 3. Mesuré à 1.0 MHz et appliqué tension inversede 0 Vdc 4. Dispositif monté sur un circuit imprimé en époxy-verre carte, d’une épaisseur de 1,5 mm ; épaisseur de Cucouche≥40 μm | ||||
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