







YZPST-SR3KV
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
REDRESSEUR À AVALANCHE ULTRARAPIDE
TENSION : 3000 V COURANT : 0,25 A

CARACTÉRISTIQUES
Pertes de commutation très faibles
Passivation verre
Faible courant de fuite inverse
Tension inverse élevée
Boîtier hermétiquement scellé
DONNÉES MÉCANIQUES
Boîtier : boîtier en verre fritté SOD-57
Bornes : fils axiaux étamés, soudables selon J-STD-002
Polarité : la bande de couleur indique l’extrémité cathode
Position de montage : indifférente
ABSOLUES VALEURS ET ÉLECTRIQUES CARACTÉRISTIQUES (monophasé, demi-onde, 60 Hz, charge résistive ou inductif charge nominale à 25 °C, sauf indication indiquée) | ||||
| Symbole | SR3KV | unités | |
Tension inverse de crête répétitive maximalege | VRRM | 3000 | V | |
Tension efficace maximale | VRMs | 2100 | V | |
Tension maximale de blocage en continuge | VCC | 3000 | V | |
Tension minimale de claquage en inverse IR=100μA | V(BR)R | 3100 | V | |
Courant redressé moyen direct, demi-ondeave | IFAV | 0.25 | A | |
Courant de surtension direct de crête demi-onde de 10 ms sinusoïdale | lFSM | 15 | A | |
Tension directe maximale àt 0,25 A | VF | 5.0 | V | |
Non répétitif crête inverse avalanche énergie à leRR)=0.2A | ER | 5.0 |
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Courant inverse continu maximalant à la tension nominale de blocage en continu tension | Tj=25℃ Tj=125℃ | lR | 10.0 100.0 | μA |
Temps de récupération inverse maximal(Note 1) | Trr | 250 | nS | |
Résistance thermique typiqueance (Note 2) | Rth(ja) Rth(jc) | 45 25 | ℃/W | |
Capacité de jonction typique (Note 3) | Cj | 10.5 | pF | |
Température de stockage et de jonction en fonctionnementerature | Tstg, Tj | -55 à +175 | ℃ | |
Remarque : 1. Condition de recouvrement inverse If=0,5 A, Ir=1,0A, Irr = 0,25 A 2. Longueur des pattes I=10 mm, TL constant 3. Mesuré à 1,0 MHz et appliqué Vr=4,0 V | ||||
Min | 3000.00 |
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| Min |
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Max |
| 10 | 5 | 250 |
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| Max |
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Condition | IR | VRRM | IF |
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| Condition |
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Bin1@ | 100 μA | 3000 V | 0.25 A | Si = 0,5 A,Ir =1,0 A, I rr =0,25 A |
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| Bin1@ |
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Élément | VRRM(V) | IR( μA) | VF(V) | TRR(ns) |
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| Élément |
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1 | 3889 | 0.198 | 2.281 | 115 |
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2 | 3867 | 0.097 | 2.179 | 126 |
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3 | 3866 | 0.316 | 2.172 | 120 |
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4 | 3974 | 0.18 | 2.18 | 124 |
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5 | 3883 | 0.202 | 2.21 | 123 |
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6 | 3813 | 0.189 | 2.201 | 122 |
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7 | 3747 | 0.164 | 2.252 | 112 |
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8 | 3958 | 0.184 | 2.418 | 112 |
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9 | 3851 | 0.111 | 2.137 | 125 |
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10 | 3818 | 0.115 | 2.202 | 116 |
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11 | 3991 | 0.125 | 2.231 | 122 |
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12 | 3735 | 0.184 | 2.629 | 96 |
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13 | 3913 | 1.104 | 2.239 | 118 |
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14 | 3932 | 0.128 | 2.461 | 106 |
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15 | 3899 | 0.11 | 2.203 | 122 |
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Min | 3735 | 0.097 | 2.137 | 96 |
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Max | 3991 | 1.104 | 2.629 | 126 |
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Moy. | 3875.733 | 0.227133 | 2.26633 | 117.2667 |
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