YZPST-G300HF120TK-G3

Symbole

Paramètre

Conditions d’essai

Valeurs

Unité

IGBT

VCES

Tension collecteur-émetteur

TVj=25°C

1250

V

VGES

Tension grille-émetteur

±30

V

IC

Courant continu du collecteur

TC=25°C

450

A

TC=80°C

300

A

ICM

Courant de crête répétitif du collecteur

tp=1ms

600

A

Ptot

Dissipation de puissance par IGBT

3000

W

Diode

VRRM

Tension inverse répétitive

TVj=25°C

1250

V

IF(AV)

Courant direct moyen

TC=25°C

450

A

TC=80°C

300

A

IFRM

Courant de crête direct répétitif

tp=1ms

600

A

I2t

TVj =125°C, t=10ms, VR=0V

19000

A2s

Symbole

Paramètre

Conditions d’essai

Min.

Typ.

Max.

Unité

IGBT

VGE(th)

Tension de seuil grille-émetteur

VCE=VGE, IC=2,0 mA

5.0

6.8

V

VCE(sat)

Collecteur-émetteur

IC=300A, VGE=15V, TVj=25°C

2.2

2.6

V

Tension de saturation

IC=300A, VGE=15V, TVj=125°C

2.4

V

ICES

Courant de fuite collecteur

VCE=1250V, VGE=0V, TVj=25°C

1

mA

VCE=1250V, VGE=0V, TVj=125°C

5

mA

Rgint

Résistance de grille intégrée

Par commutateur

10

Ω

IGES

Courant de fuite de grille

VCE=0 V, VGE±15 V, TVj=125 °C

-500

500

nA

Cies

Capacitance d’entrée

VCE=25 V, VGE=0 V, f =1 MHz

21

nF

Cres

Capacitance de transfert inverse

1.5

nF

td(on)

Temps de retard à l’allumage

VCC=600 V, IC=300 A,

TVj =25 °C

90

ns

RG =4,7 Ω,

TVj =125 °C

110

ns

tr

Temps de montée

VGE=±15 V,

TVj =25 °C

55

ns

Charge inductive

TVj =125 °C

60

ns

td(off)

Temps de retard à l’extinction

VCC=600 V, IC=300 A,

TVj =25 °C

460

ns

RG =4,7 Ω,

TVj =125 °C

500

ns

tf

Temps de chute

VGE=±15 V,

TVj =25 °C

55

ns

Charge inductive

TVj =125 °C

60

ns

Eon

Énergie à l’allumage

VCC=600 V, IC=300 A,

TVj =25 °C

28

mJ

RG =4,7 Ω,

TVj =125 °C

12

mJ

Eoff

Énergie à l’extinction

VGE=±15 V,

TVj =25 °C

25

mJ

Charge inductive

TVj =125 °C

13

mJ

ISC

Courant de court-circuit

1300

A

RthJC

Résistance thermique jonction-boîtier (par IGBT)

0.13

K /W

Diode

VF

Tension directe

IF=300 A, VGE=0 V, TVj =25 °C

2

2.4

V

IF=300A , VGE=0V, TVj =125°C

2.2

V

Qrr

Charge de recouvrement inverse

IF=300A , VR=600V

50

µC

IRRM

Courant maximal de recouvrement inverse

diF/dt=-2400A/μs

170

A

Erec

Énergie de recouvrement inverse

TVj =125 °C

20

mJ

RthJCD

Résistance thermique jonction-boîtier

(par diode)

0.12

K /W

Symbole

Paramètre

Conditions d’essai

Min.

Typ.

Max.

Unité

TVj max

Température maximale de jonction

175

°C

TVj op

Température de fonctionnement

-40

150

°C

Tstg

Température de stockage

-40

125

°C

Visol

Tension d’essai d’isolement

CA, t=1 min

3000

V

Couple de serrage

Vers le dissipateur

Recommandé（M6）

1.1

2

N·m

Couple de serrage

N·m

Poids

328

g