YZPST-SKM195GB066D
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Module de puissance IGBT Type : YZPST-SKM195GB066D
Applications
Onduleur pour entraînement moteur
Amplificateur d’entraînement servo CA et CC
UPS (alimentations sans interruption)
Machine de soudage à commutation douce
Caractéristiques
Faible Vce(sat) avec technologie trench field-stop
Vce(sat) avec coefficient de température positif
Comprenant une diode de roue libre antiparallèle FWD à récupération rapide et douce
Forte tenue au court-circuit (10 µs)
Structure de module à faible inductance
Température de jonction maximale 175 ℃
Absolu Maximum Valeurs
Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unité |
Tension collecteur-émetteur | VCES | VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃ | 650 | V |
Courant collecteur continu | IC | Tc=100℃ | 200 | A |
Courant de collecteur de crête | ICRM | tp=1 ms | 400 | A |
Tension grille-émetteur | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Dissipation de puissance totale (onduleur IGBT) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 695 | W |
Caractéristiques de l’IGBT
| Paramètre | Valeur | Unité | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Tension de seuil grille-émetteur | VGE(th) | VGE=VCE, IC =3.2mA,Tvj=25℃ | 5.1 | 5.8 | 6.3 | V |
| VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Courant de coupure collecteur-émetteur | ICES | VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Collecteur-émetteur | Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.45 | 1.95 | V | ||
| Tension de saturation | VCE(sat) | Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 1.65 | V | ||
| Capacité d'entrée | Cies | VCE=25V,VGE =0V, | 12.3 | nF | ||
| Capacité de transfert inverse | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 0.37 | nF | ||
| Résistance interne de grille | Rgint | 1 | Ω | |||
| Temps de retard à l’enclenchement | td(on) | 48 | Ns | |||
| Temps de montée | tr | IC =200 A | 48 | Ns | ||
| Temps de retard à l’extinction | td(off) | VCE =300 V | 348 | Ns | ||
| Temps de descente | tf | VGE = ±15 V | 58 | Ns | ||
| Énergie dissipée pendant le temps d’allumage | Eon | RG = 3.6Ω | 2.32 | mJ | ||
| Dissipation d’énergie pendant le temps de désactivation | Eoff | Tvj=25℃ | 5.85 | mJ | ||
| Temps de retard à l’enclenchement | td(on) | 48 | Ns | |||
| Temps de montée | tr | IC =200 A | 48 | Ns | ||
| Temps de retard à l’extinction | td(off) | VCE = 300V | 364 | Ns | ||
| Temps de descente | tf | VGE = ±15 V | 102 | Ns | ||
| Énergie dissipée pendant le temps d’allumage | Eon | RG =3.6Ω | 3.08 | mJ | ||
| Dissipation d’énergie pendant le temps de désactivation | Eoff | Tvj = 125 ℃ | 7.92 | mJ | ||
| Données de court-circuit | Isc | Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150℃ , Vcc=300V,VCEM≤650V | 1000 | A | ||
Caractéristiques de la diode
| Paramètre | Valeur | Unité | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Courant direct continu de la diode | IF | Tc=100℃ | 200 | A | ||
| Courant direct de crête de la diode | IFRM | 400 | A | |||
| IF=200A,Tvj=25℃ | 1.55 | 1.95 | V | |||
| Tension directe | VF | IF=200A,Tvj=125℃ | 1.5 | V | ||
| Paramètre | Valeur | Unité | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Charge récupérée | Qrr | 8.05 | µC | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Courant de récupération inverse de crête | Irr | -diF/dt =4200A/us | 148 | A | ||
| Énergie de récupération inverse | Erec | Tvj=25℃ | 1.94 | mJ | ||
| Charge récupérée | Qrr | 16.9 | µC | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Courant de récupération inverse de crête | Irr | -diF/dt =4200A/us | 186 | A | ||
| Énergie de récupération inverse | Erec | Tvj = 125 ℃ | 3.75 | mJ | ||
Caractéristiques du module TC=25°C sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unité | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| Tension d’isolement | Visol | t = 1 min, f = 50 Hz | 2500 | V | ||
| Température de jonction maximale | Tjmax | 150 | ℃ | |||
| Température de jonction de fonctionnement | Tvj op | -40 | 125 | ℃ | ||
| Température de stockage | Tstg | -40 | 125 | ℃ | ||
| par onduleur IGBT | 0.19 | K/W | ||||
| Jonction-boîtier | R θjc | par onduleur à diodes | 0.31 | K/W | ||
| Boîtier-dissipateur | R θcs | Graisse conductrice appliquée | 0.085 | K/W | ||
| Couple des électrodes du module | Mt | Recommandé (M5) | 2.5 | 5 | N · m | |
| Couple module-dissipateur | Ms | Recommandé (M6) | 3 | 5 | N · m | |
| Poids du module | G | 150 | g | |||
Boîtier Dimensions
Pour plus d’informations surYZPST-SKM195GB066Dveuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé « YZPST-SKM195GB066D-R090 "
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
