YZPST-FM3N150C
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
MOSFET à canal N 1500 V
YZPST-FM3N150C
Description générale
Ce MOSFET de puissance est fabriqué grâce à une technologie planaire auto-alignée avancée. Cette technologie de pointe a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l’état passant, offrir des performances de commutation supérieures et supporter des impulsions d’énergie élevées en mode avalanche et en mode de commutation.
Ces dispositifs peuvent être utilisés dans divers circuits de commutation de puissance afin de réduire l’encombrement du système et d’améliorer le rendement.
Caractéristiques
3A, 1500 V, RDS(on) typ. = 5Q à VGS = 10 V Id = 1,5 A
Faible charge de grille (typique 9,3 nC)
Faible charge de grille (typique 2,4 pf)
Commutation rapide
Testé à 100 % en avalanche
Caractéristiques nominales absolues maximalesTc = 25 °C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | JFFM3N150C | Unités | |
| Vdss | Tension drain-source | 1500 | V | |
| Id | Courant de drain | Continu (Tc = 25 °C) | 1.8 | A |
| Continu (Tc = 100 °C) | 1.2 | A | ||
| Idm | Courant de drain - impulsionnel (note 1) | 12 | A | |
| Vgss | Tension grille-source | ±30 | V | |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique (note 2) | 225 | mJ | |
| dv/dt | dv/dt de récupération de diode de crête (note 3) | 5 | V/ns | |
| Pd | Dissipation de puissance (Tc = 25 °C) | 30 | W | |
| Tj, Tstg | Plage de température de fonctionnement et de stockage | -55 à +150 | °C | |
| Tl | Température maximale des broches pour la soudure | 300 | °C | |
| 1/8〃 du boîtier pendant 5 secondes | ||||
Caractéristiques thermiques
| Symbole | Paramètre | JFFM3N150C | Unités |
| Raic | Résistance thermique jonction-boîtier | 4.1 | °C/W |
| Rqja | Résistance thermique jonction-ambiance | 62.5 | °C/W |
Caractéristiques électriquesTc=25 °C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Conditions d’essai | Min | Typ | Max | Unités |
| Caractéristiques à l’état bloqué | ||||||
| BVdss | Tension de claquage drain-source | Vgs = 0 V, Id =250 uA | 1500 | ― | — | V |
| / BVdss/ | Coefficient de température de la tension de claquage | Id = 250 uA, référencé à | -- | 1.3 | -- | V/°C |
| 』Tj | 25 °C | |||||
| Courant de drain à tension de grille nulle | Vds = 1500 V, Vgs = 0 V | — | — | 25 | uA | |
| Idss | Vds = 1200 V, Tc = 125 °C | -- | -- | 500 | uA | |
| Igssf | Courant de fuite grille-corps, sens direct | Vgs = 30 V, Vgs = 0 V | — | — | 100 | nA |
| Igssr | Courant de fuite grille-corps, sens inverse | Vgs = -30 V, Vgs = 0 V | — | — | -100 | nA |
| Caractéristiques à l’état passant | ||||||
| VGS(th) | Tension de seuil de grille | Vds = Vgs, Id = 250 uA | 3 | — | 5 | V |
| RDS(on) | Résistance à l’état passant drain-source statique | Vgs = 10 V, Id= 1,5 A | — | 5 | 8 | Q |
| gFS | Transconductance directe | Vds = 30 V, Id= 1.5 A ( Note | -- | 4.5 | -- | S |
| 4) | ||||||
| Caractéristiques dynamiques | ||||||
| Ciss | Capacité d’entrée | Vds = 25 V, Vgs = 0 V, f = | — | 1938 | — | pF |
| Coss | Capacité de sortie | 1.0 MHz | — | 104 | — | pF |
| Crss | Capacité de transfert inverse | — | 2.4 | — | pF | |
| Rg | Résistance de grille | F= 1.0 MHz | 3.5 | Q | ||
| Caractéristiques de commutation | ||||||
| td(on) | Temps de retard à l’allumage | 34 | ns | |||
| tr | Temps de montée à l’allumage | Vds = 750 V, Id=3.0A/ Rg = | 17 | ns | ||
| td(off) | Temps de retard à l’arrêt | 100 , Vgs 10 V (notes 4, 5) | 56 | ns | ||
| tf | Temps de chute à l’extinction | 27 | ns | |||
| Qe | Charge totale de grille | Vds = 750 V, Id = 3,0 AVgs = | 9.3 | nC | ||
| Qgs | Charge grille-source | 10 V (notes 4, 5) | 15 | nC | ||
| Qgd | Charge grille-drain | 5.3 | nC | |||
| Caractéristiques de la diode drain-source et valeurs nominales maximales | ||||||
| Is | Courant direct continu maximal de la diode drain-source | — | — | 3 | A | |
| Ism | Courant direct pulsé maximal de la diode drain-source | — | — | 12 | A | |
| Vsd | Tension directe de la diode drain-source | Vgs = 0 V, Is = 3,0 A | — | — | 1.5 | V |
| trr | Temps de recouvrement inverse | Vgs = 0 V, Is = 3,0 A | — | 302 | — | ns |
| Qrr | Charge de recouvrement inverse | dlF/dt = 100 A/us (note | -- | 10 | -- | uC |
| 4) | ||||||
Remarques :
1. Valeur répétitive : largeur d’impulsion limitée par la température de jonction maximale
2. L = lO.OmH, Ias = 6,7 A, Rg = 25Q, Tj initiale = 25 °C
3. Isd < 3,0 Azdi/dt < lOOA/us, Vdd < BVdss, Tj initiale = 25 °C
4. Essai pulsé : largeur d’impulsion < 300 uszCycle de service <2%
5. Pratiquement indépendant de la température de fonctionnement
Pour plus d’informations surYZPST-FM3N150Cveuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé « YZPST-FM3N150C »
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
