YZPST-100HF120TK-G1

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Module IGBT YZPST-100HF120TK-G1
CARACTÉRISTIQUES
Forte capacité en court-circuit, courant de court-circuit à limitation automatique
PUCE IGBT (technologie tranchée + Field Stop)
VCE(sat) avec coefficient de température positif, commutation rapide, faibles pertes de commutation
Diodes de roue libre à récupération inverse rapide et douce
APPLICATIONS
Application de commutation haute fréquence
Convertisseurs de soudage
Commande de mouvement/servo
Systèmes UPS
VALEURS MAXIMALES ABSOLUES TC=25 °C sauf indication contraire
Symbole
Paramètre
Conditions d'essai
Valeurs
Unité
IGBT
VCES
Tension collecteur-émetteur
TVj=25°C
1250
V
VGES
Tension grille-émetteur

±30
V

IC

Courant collecteur continu
TC=25°C
150
A
TC=80°C
100
A
ICM
Courant collecteur de crête répétitif
tp=1 ms
200
A
Ptot
Dissipation de puissance par IGBT
694
W
Diode
VRRM
Tension inverse répétitive
TVj=25°C
1250
V

IF(AV)

Courant direct moyen
TC=25°C
150
A
TC=80°C
100
A
IFRM
Courant direct de crête répétitif
tp=1 ms
200
A

MODULE CARACTÉRISTIQUESTC=25°C sauf indication contraire indiquée
Symbole
Paramètre
Conditions d'essai
Min.
Typ.
Max.
Unité
TVj max
Température maximale de jonction

150
°C
TVj op
Température de fonctionnement

-40

150
°C
Tstg
Température de stockage

-40
125
°C
Visol
Tension d’essai d’isolement
CA, t=1 min
3000
V
Couple
Vers dissipateur
M6 recommandé
3

5
N·m
Couple
Vers la borne
M5 recommandé
2.5

5
N·m
Poids

176

g
SCHÉMA ÉLECTRIQUE

PLAN DU BOÎTIER

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Symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Valeurs	Unité
IGBT
VCES	Tension collecteur-émetteur	TVj=25°C	1250	V
VGES	Tension grille-émetteur		±30	V
IC	Courant collecteur continu	TC=25°C	150	A
IC	Courant collecteur continu	TC=80°C	100	A
ICM	Courant collecteur de crête répétitif	tp=1 ms	200	A
Ptot	Dissipation de puissance par IGBT		694	W
Diode
VRRM	Tension inverse répétitive	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Courant direct moyen	TC=25°C	150	A
IF(AV)	Courant direct moyen	TC=80°C	100	A
IFRM	Courant direct de crête répétitif	tp=1 ms	200	A

YZPST-100HF120TK-G1

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