YZPST-IKW40N65H3（YZPST-RG40N065FT)

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Tension de claquage collecteur-émetteurwn Voltage

VCE

650

V

Courant de collecteur continu,limité par Tjmax TC = 25°C

TC = 100°C

IC

80

40

A

Courant direct de la diode, limité par Tjmax TC = 25°C

TC = 100°C

IF

80

40

A

Continuité grille-émetteurtension de seuil

VGE

±20

V

Transitoire grille-émetteurtension

VGE

±30

V

À l’extinction zone de fonctionnement sûre VCE ≤650V, Tj ≤ 175°C, tp = 1μs

-

120

A

Courant collecteur pulsé, VGE = 15V, tp limité par Tjmax

ICM

120

A

Dissipation de puissance, Tj=25°C

Ptot

188

W

En fonctionnement jonction température

Tj

-40...+175

°C

Température de stockage

TS

-55...+150

°C

Température de soudage,soudage à la vague à 1,6 mm (0,063 po) de boîtier pour 10 s

-

260

°C

Montage couple, M3 vis Maximum de montage procédures: 3

M

0.6

N·m

Paramètre

Symbole

Valeur max.

Unité

Résistance thermique IGBTance,jonction - boîtier

Rθ(j-c)

0.8

K/W

Résistance thermique de la diode,ce,jonction - boîtier

Rθ(j-c)

1.1

K/W

Résistance thermique, jonction - ambiant

Rθ(j-a)

40

K/W