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YZPST-30TPS12
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Thyristors 30TPS12 Réf. : YZPST-30TPS12
30TPS12 haute tension, SCR 30 A TO-247
DESCRIPTION :
La série haute tension 30TPS12 de redresseurs commandés au silicium est spécialement conçue pour les applications de commutation de moyenne puissance et de commande de phase. La technologie de passivation par verre utilisée garantit un fonctionnement fiable jusqu'à une température de jonction de 125 °C. Les applications typiques sont le redressement d'entrée (démarrage progressif) ; ces produits sont conçus pour être utilisés avec des diodes d'entrée, des interrupteurs et des redresseurs de sortie, disponibles dans des formats de boîtier identiques.
Symbole
Symbole | Valeur |
IGT | ≤35 mA |
IT(RMS) | 30 A |
VRRM | 1200 V |
VALEURS MAXIMALES ABSOLUES (TC = 25 °C, sauf indication contraire)
Symbole | PARAMÈTRE | Valeur | Unité |
VDRM | Tension de blocage crête répétitive (Tj = 25 °C) | 1200 | V |
VRRM | Tension inverse crête répétitive (Tj = 25 °C) | 1200 | V |
IT(AV) | Courant moyen à l’état passant (angle de conduction de 180°) | 20 | A |
IT(RMS) | Courant efficace à l’état passant (sinusoïde complète) | 30 | A |
ITSM | Courant de crête de surtension non répétitif à l’état passant (angle de conduction de 180°, F = 50 Hz, TC = 85 °C) | 300 | A |
I2t | I²t de fusion (t = 10 ms) | 450 | A²s |
dI/dt | Taux critique d’élévation du courant à l’état passant (I = 2 × IGT, tr ≤ 100 ns) | 50 | A/μs |
IGM | Courant de grille de crête | 4 | A |
PG(AV) | Dissipation moyenne de puissance de gâchette | 1 | W |
Tstg | Plage de température de jonction de stockage | -40 ~ 150 | °C |
TJ | Plage de température de jonction en fonctionnement | -40 ~ 125 | °C |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tj = 25 °C, sauf indication contraire)
| Symbole | Condition d’essai | Valeur | Unité | |
| Min | Max | |||
| IGT | V = 12 V R = 33 Ω | 35 | mA | |
| VGT | 1.3 | V | ||
| VGD | VD=VDRM Tj=125℃ | 0.2 | V | |
| IL | IG = 1.2IGT | 180 | mA | |
| IH | IT=500 mA | 120 | mA | |
| dV/dt | VD = 2/3 VDRM gâchette ouverte Tj = 125 °C | 500 | V/μs | |
| VTM | ITM = 45 A tp = 380 μs | 1.7 | V | |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | 20 | μA | |
| IRRM | 4 | mA | ||
DONNÉES MÉCANIQUES DU BOÎTIER
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
