YZPST-1A01K170K

YZPST-1A01K170K
MOSFET de puissance en carbure de silicium
À canal N en mode enrichissement

V_{Fiche technique}= 1700 V

IDS@25°C = 5.0 A

Caractéristiques

Capacitif haute tension
Haute tension de blocage avec faible résistance à l’état passant
Commutation à grande vitesse avec faibles capacités parasites
Facile à mettre en parallèle et simple à commander
Capacité drain-grille ultra-faible
Robustesse face aux avalanches

Avantages

Rendement système accru
Besoins de refroidissement réduits
Fiabilité du système accrue
Fréquence de commutation du système accrue

Applications
Alimentations auxiliaires
Alimentations à découpage

Caractéristiques maximales (Tc=25°C sauf indication contraire)

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