Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

Semi-conducteurs dispositifs – Discrets dispositifs –

Partie 9 : à grille isolée bipolaires transistors(IGBT)

Dispositifs à semi-conducteurs – Dispositifsdiscrets –

Partie 9 : Transistors bipolaires à grille isolée(IGBT)

SEMICONDUCTOR DEVICE–DISCRETE DEVICES –

Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBTs)

AVANT-PROPOS

1) La Commission électrotechnique internationale (IEC) est une organisation mondiale de normalisation qui regroupe l’ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux IEC). L’IEC a pour objet de favoriser la coopération internationale sur toutes les questions de normalisation dans les domaines de l’électricité et de l’électronique. À cette fin, et en plus d’autres activités, l’IEC publie des Normes internationales, des Spécifications techniques, des Rapports techniques, des Spécifications disponibles au public (PAS) et des Guides (ci-après dénommés les « Publications IEC »). Leur élaboration est confiée à des comités techniques ; tout Comité national IEC intéressé par le sujet traité peut participer à ce travail préparatoire. Des organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales en liaison avec l’IEC participent également à cette préparation. L’IEC collabore étroitement avec l’Organisation internationale de normalisation (ISO), conformément aux conditions définies par accord entre les deux organisations.

2) Les décisions formelles ou accords de l’IEC sur les questions techniques expriment, dans la mesure du possible, un consensus international d’opinion sur les sujets concernés, chaque comité technique étant représenté par l’ensemble des Comités nationaux IEC intéressés.

3) Les Publications IEC ont la forme de recommandations pour une utilisation internationale et sont acceptées en tant que telles par les Comités nationaux IEC. Bien que tous les efforts raisonnables soient déployés pour garantir l’exactitude du contenu technique des Publications IEC, l’IEC ne peut être tenue responsable de la manière dont elles sont utilisées ni de toute mauvaise interprétation par un utilisateur final quelconque.

4) Afin de promouvoir l’uniformité internationale, les Comités nationaux IEC s’engagent à appliquer les Publications IEC de manière transparente dans la plus large mesure possible dans leurs publications nationales et régionales. Toute divergence entre une Publication IEC et la publication nationale ou régionale correspondante doit être clairement indiquée dans cette dernière.

5) L’IEC ne prévoit aucune procédure de marquage indiquant son approbation et ne peut être tenue responsable d’un équipement déclaré conforme à une Publication IEC.

6) Tous les utilisateurs devraient s’assurer qu’ils disposent de la dernière édition de cette publication.

7) Aucune responsabilité ne saurait incomber à l’IEC ou à ses administrateurs, employés, préposés ou agents, y compris les experts individuels et les membres de ses comités techniques et des Comités nationaux IEC, pour tout dommage corporel, matériel ou tout autre dommage de quelque nature que ce soit, direct ou indirect, ni pour les frais (y compris les honoraires d’avocat) et dépenses résultant de la publication, de l’utilisation ou de la confiance accordée à cette Publication IEC ou à toute autre Publication IEC.

8) L’attention est attirée sur les références normatives citées dans cette publication. L’utilisation des publications de référence est indispensable à la bonne application de la présente publication.

9) L’attention est attirée sur le fait que certains éléments de cette Publication IEC peuvent faire l’objet de droits de brevet. L’IEC ne saurait être tenue responsable de l’identification de tout ou partie de ces droits de brevet.

La Norme internationale IEC 60747-9 a été élaborée par le sous-comité 47E : Dispositifs semi-conducteurs discrets, du comité technique 47 de l’IEC : Dispositifs semi-conducteurs.

Cette deuxième édition de l’IEC 60747-9 annule et remplace la première édition (1998) ainsi que son amendement 1 (2001).

Les principales modifications par rapport à l’édition précédente sont indiquées ci-dessous.

a) L’article 3 a été modifié par l’ajout de termes qui devraient être inclus.

b) Les articles 4 et 5 ont été modifiés par des ajouts et des suppressions appropriés qui devraient être inclus.

c) Les articles 6 et 7 de l’Amendement 1 ont été regroupés dans l’article 6 avec des ajouts et des corrections appropriés qui devraient être inclus.

d) Le point 8 de l’Amendement 1 a été renuméroté en point 7. Cette norme doit être lue conjointement avec l’IEC 60747-1.

Le texte de cette norme est հիմնé sur les documents suivants :

L’ensemble des informations sur le vote relatif à l’approbation de cette norme figure dans le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus.

La présente publication a été rédigée conformément aux Directives ISO/CEI, partie 2.

Une liste de toutes les parties de la série IEC 600747, sous le titre général :Semiconductor devices – Discrete devices , peut être consultée sur le site web de l’IEC.

Le comité a décidé que le contenu de cette publication restera inchangé jusqu’à la date de résultat de maintenance indiquée sur le site web de l’IEC sous « http://webstore.iec.ch » dans les données relatives à la publication concernée. À cette date, la publication sera

• reconfirmée,

• retirée,

• remplacée par une édition révisée, ou

• modifiée.

SEMICONDUCTORDEVICES –

DISCRETEDEVICES –

Part 9: Insulated-gate bipolartransistors (IGBTs)

1 Scope

La présente partie de l’IEC 60747 fournit des normes particulières aux produits concernant la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs assignées essentielles et les caractéristiques, la vérification des valeurs assignées et les méthodes de mesure des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT).

2 Normative references

Les documents de référence suivants sont indispensables à l’application du présent document. Pour les références datées, seule l’édition citée s’applique. Pour les références non datées, la dernière édition du document de référence (y compris tous amendements) s’applique.

IEC 60747-1:2006,Semiconductor devices – Part 1:General

IEC 60747-2,Semiconductor devices – Discretedevices et intexrated circuits – Part 2: Rectifierdiodes

IEC 60747-6, Semiconductor devices – Part 6:Thyristors

IEC 61340 (toutes les parties), Electrostatics

3 Terms et definitions

Aux fins du présent document, les termes et définitions suivants s’appliquent.

3.1 Graphical symbol of IGBT

Le symbole graphique représenté ci-dessous est utilisé dans la présente édition de l’IEC 60747-9.

Symbole graphique

NOTE Seul le symbole graphique de l’IGBT à canal N est utilisé dans la présente norme. Il s’applique également à la mesure des dispositifs à canal P. Dans le cas des dispositifs à canal P, la polarité doit être adaptée.